| 摘要 |
Bei einer integrierten Halbleiterschaltung ist vorzugsweise unterhalb eines Anschlußpads (3) eine Vielzahl von parallel verlaufenden Dotierungsgebieten (4, 5, 6, 7) angeordnet. Um entsprechend einer vorgegebenen Ein-/Ausgangscharakteristik eine bestimmte kapazitive Belastung des Pads (3) einzustellen, wird ein Teil der Dotierungsgebiete (5, 6, 7) mit dem Pad (3) verbunden. Die Kapazitätsabstufung wird verfeinert, indem über den Dotierungsgebieten jeweils angeordnete Polysiliziumflächen (8, 9, 10, 11) mit dem Substrat (1) oder dem Pad (3) verbunden werden. Zur Einstellung eines gewünschten Anschlußwiderstands wird ein in die Anschlußleitung (13) zum Pad (3) geschalteter Polysiliziumwiderstand (12) getrimmt. Die modulare Struktur ermöglicht eine genaue Einstellung der Ein-/Ausgangscharakteristik des Pads (3) ohne zusätzlichen Flächenbedarf. <IMAGE> |
