| 发明名称 | 一种纳米氮化硼管的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米氮化硼管的制备方法，其特征在于：以TiB<SUB>2</SUB>、TaB<SUB>2</SUB>、MoB、Mo<SUB>2</SUB>B<SUB>5</SUB>金属硼化物为催化剂和硼源，以氮气为稀释气，在高温下气相生长生成BN管，生长温度区间为1100℃—1400℃，生长时间1—2小时，NH<SUB>4</SUB>Cl与N<SUB>2</SUB>的摩尔比为1∶5—1∶12。本发明可以生成比电弧法和激光烧蚀法纯度高和质量高的BN管。 | ||
| 申请公布号 | CN1238304A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
| 申请号 | CN98113984.1 | 申请日期 | 1998.05.14 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 成会明;范月英;魏永良;苏革;张伟刚;刘敏;沈祖洪 |
| 分类号 | C01B21/064 | 主分类号 | C01B21/064 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1．一种纳米氮化硼管的制备方法，其特征在于：以TiB2、TaB2、MoB、Mo2B5金属硼化物为催化剂和硼源，以氮气为稀释气，在高温下气相生长生成BN管，生长温度区间为1100℃-1400℃，生长时间1-2小时，NH4Cl与N2的摩尔比为1∶5-1∶12。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||