发明名称 |
SOI semiconductor device and method of making the same |
摘要 |
Eine Halbleiteranordnung weist eine insbesondere von einem Substrat gebildete Basisschicht (1) aus Halbleitermaterial, eine oberhalb der Basisschicht (1) angeordnete Isolationsschicht (2) und eine an diese angrenzende Schicht (3') aus monokristallinem Silizium auf. Im Bereich der Grenzfläche (7) zwischen der Isolationsschicht (2) und der monokristallinen Siliziumschicht (3') ist ein Passivierstoff unter Ausbildung von Si-X Bindungen vorhanden, wobei die Bindungsenergie der Si-X Bindung größer als die Bindungsenergie einer Si-H Bindung ist. <IMAGE> |
申请公布号 |
EP0964455(A1) |
申请公布日期 |
1999.12.15 |
申请号 |
EP19990108855 |
申请日期 |
1999.05.04 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HUTTNER, THOMAS;WURZER, HELMUT, DR.;MAHNKOPF, REINHARD, DR. |
分类号 |
H01L21/84;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/762;H01L27/12;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/84 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|