| 发明名称 | 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及右式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法,其中，R<SUB>1</SUB>为C<SUB>0</SUB>－C<SUB>10</SUB>直链或支链取代烷基或苄基;R<SUB>2</SUB>为C<SUB>1</SUB>－C<SUB>10</SUB>伯醇、仲醇或叔醇基;m和n相互独立地代表1—3的数;以及X、Y和Z分别是共聚单体的聚合比。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E－射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1238344A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
| 申请号 | CN99106401.1 | 申请日期 | 1999.04.30 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 郑载昌;卢致亨;卜喆圭;金明洙;李根守;白基镐;金亨基;郑旼镐 |
| 分类号 | C08F222/40;G03F7/00 | 主分类号 | C08F222/40 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丁业平;王达佐 |
| 主权项 | 1．一种如下式1所示的光致抗蚀剂聚合物，[式1]<img file="A9910640100021.GIF" wi="633" he="257" />其中，R<sub>1</sub>为C<sub>0</sub>-C<sub>10</sub>直链或支链取代烷基或苄基；R<sub>2</sub>为C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伯醇、仲醇或叔醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及X、Y和Z分别是相映共聚单体的聚合比。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||