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发明名称 HIGH DENSITY PLASMA OXIDE GAP FILLED PATTERNED METAL LAYERS WITH IMPROVED ELECTROMIGRATION RESISTANCE
摘要
申请公布号 EP0963604(A1) 申请公布日期 1999.12.15
申请号 EP19980945781 申请日期 1998.08.27
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 TRAN, KHANH, Q.;BESSER, PAUL, R.;MORALEZ, GUARIONEX;PRAMANICK, SHEKHAR
分类号 H01L21/321;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/321
代理机构 代理人
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