| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1238553A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
| 申请号 | CN99106954.4 | 申请日期 | 1994.10.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;宫永昭治;张宏勇;福永健司 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1．制造半导体器件的一种方法，其特征在于，它包括下列步骤：制备溶液，将含有促进硅晶化过程的催化剂的物质溶解在液体中或在液体中分散开；令所述溶液与绝缘表面上含硅的半导体膜的至少第一区接触；形成含所述催化剂的连续层，与所述半导体膜的所述第一区接触；和加热所述体膜使晶体沿平行于所述半导体膜表面的方向从半导体膜的所述第一区向毗邻所述第一部位的第二区生长；绘制所述半导体膜的布线图形于一岛中，使其形成所述半导体的一个有源区，所述岛不包括所述半导体膜的第一区。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||