半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在DRAM单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在半导体衬底上形成栅电极的工序；在所述栅电极两侧壁上形成隔离层的工序；在所述栅电极两边侧的所述衬底内部形成源-漏极用有源区域的工序；在包括所述栅电极和隔离层的所述衬底整个面上形成绝缘膜的工序；对所述绝缘膜进行蒸镀厚度以上的刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的所述栅电极间的所述有源区域表面自对准地留下所述绝缘膜的工序；以及在DRAM单元形成部的所述栅电极表面及其以外的任意区域的所述栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜的工序。