发明名称 金属膜内晶粒生长控制方法
摘要 一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中,该金属膜是沉积在底物上,形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70—100℃的范围内被加热至少5分钟,其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中,在沉积步骤之后,将此电镀膜储存于温度不超过-20℃的条件下,其中在整个储存期中,此微细晶粒微结构稳定,而晶粒未长大。
申请公布号 CN1238394A 申请公布日期 1999.12.15
申请号 CN99107192.1 申请日期 1999.06.09
申请人 国际商业机器公司 发明人 P·W·德哈文;S·卡杰;C·C·高德史密斯;M·S·勒格雷;J·L·赫特;F·D·佩费托
分类号 C25D5/48 主分类号 C25D5/48
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;罗才希
主权项 1、一种控制沉积在底物上的薄金属膜微结构中晶粒长大的方法,该方法包括步骤:(a)、在底物上沉积一种金属膜,形成一层具有微细晶粒微结构的薄膜,和(b)、在70-100℃的温度范围内加热此金属膜至少5分钟,其中微细晶粒微结构被转化为一种稳定的大晶粒的微结构。
地址 美国纽约州