发明名称 CIRCUIT FOR BURN-IN STRESSING FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR BURN-IN STRESSING
摘要
申请公布号 KR100234385(B1) 申请公布日期 1999.12.15
申请号 KR19960034527 申请日期 1996.08.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 SON, TAE-SIK;KANG, SANG-SUK;KWAK, BYUNG-HEON
分类号 G11C11/40;(IPC1-7):G11C11/40 主分类号 G11C11/40
代理机构 代理人
主权项
地址