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发明名称
MULTIPLE EPITAXIAL STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREFOR
摘要
申请公布号
KR100234230(B1)
申请公布日期
1999.12.15
申请号
KR19940004990
申请日期
1994.03.14
申请人
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC.
发明人
JOSEPH, CHAN;DENNIS, GARBIS;LAWRENCE, LATERZA;ALI, SALI;LENOLZ, HILLZ;GREGORY, AAKALUK
分类号
H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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