| 发明名称 |
POWER PROTECTION CIRCUIT FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100235559(B1) |
申请公布日期 |
1999.12.15 |
| 申请号 |
KR19960030924 |
申请日期 |
1996.07.29 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, JONG-BUNG |
| 分类号 |
G11C11/407;(IPC1-7):G11C11/407 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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