薄膜电晶体(第二案)

摘要

本发明系提供一种使用于主动矩阵型液晶显示器中之薄膜电晶体，此薄膜电晶体包括了一透明绝缘基板，其上形成一闸电极；一形成于此基板上的闸绝缘层；一形成于相对于闸电极上之闸绝缘层上的主动层；此处，主动层是由一微晶矽(μc-Si)与一含氯之氢化非结晶矽层(a-Si:H(Cl))等双层体所组成；而且一蚀刻阻止层系形成于存在于整个闸电极上的主动层之上；一欧姆层并形成于蚀刻阻止层和主动层之两侧，且使欧姆层经由蚀刻阻止层的上层表面处露出；源极与泄极复形成于闸绝缘层与欧姆层上。

主权项

1.一种薄膜电晶体,系使用于主动矩阵型液晶显示器中,其包括:一透明的绝缘基板,其上形成一闸电极;一形成于基板上的闸绝缘层;与一形成于相对于闸电极之闸绝缘层上的主动层;此主动层系由一微晶矽(c-Si)层和一含氯之非结晶矽(a-Si:H(Cl))层等双层体组合而成。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中所述微晶矽系作用为通道。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中含氯之氢化非结晶层系利用含氯之气体之电浆促进化学蒸汽沈积法制成。4.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体,其中含氯之气体系由包含SiH2Cl2和SiH2,SiHCl3和SiH4与SiCl4和SiH4中择一选出者。5.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体,其中主动层的光传导率系藉由调整含氯之氢化非结晶矽层之H含量为Cl含量而降低。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,进一步包括:一形成于存在于整个闸电极上方的主动层上之蚀刻阻止层;一形成于蚀刻阻止层和主动层之两侧之欧姆层,且使蚀刻阻止层的上层表面露出;形成于闸绝缘层和欧姆层上的源极和泄极。图式简单说明:第一图系传统TFT之截面图;第二图系根据本发明具体实施例之TFT之截面图;第三图系为传统TFT之电压一电流特征图;第四图系为根据本发明具体实施例之TFT之电压一电流特征图。