| 主权项 |
1.一种闸极层结构,其至少包括:一复晶矽层;以及一非晶矽层,形成于该复晶矽层之上。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该复晶矽层形成于一矽基底上之闸氧化层之上。3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该结构在半导体制程中,更经由一微影制程定义该结构之最终形状。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该复晶矽层厚度约为500-3000A。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层厚度约为100-2000A。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该复晶矽层由低压化学气相沈积法所形成。7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层由低压化学气相沈积法所形成。8.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层由电浆加强型化学气相沈积法所形成。9.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层由常压化学气相沈积法所形成。10.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层由高密度电浆化学气相沈积法所形成。11.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该非晶矽层由快速热退火气相沈积法所形成。12.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该复晶矽层与该非晶矽层可由同一个反应室沈积而成,先沈积该复晶矽层,再改变条件沈积该非晶矽层。13.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该结构更包括一金属矽化物层,形成于该非晶矽层之上。14.如申请专利范围第11项所述之结构,其中该金属矽化物层系由一自行对准矽化物制程所形成。图式简单说明:第一图是习知的闸极层结构颇面图,与其微影制程时表面产生反射之现象说明;第二图是习知与本发明之闸极结构图案转移后所形成的闸极形状示意图;以及第三图是本发明较佳实施例之闸极结构剖面示意图。 |
