| 主权项 |
1.一种光罩之制造方法,其包括以下之步骤:在透明基板表面形成光隔膜;在该光隔膜上形成电子束用之光阻膜;以电子束写入将光阻膜图型化及显像;以及使用经形成图案之光阻膜作为罩,选择性蚀刻该光隔膜以形成光罩,其中光隔膜厚度在大约60奈米至大约70奈米范围内。2.根据申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中该光阻膜厚度在大约280奈米至大约350奈米范围内。3.根据申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中该光隔膜含有铬。4.根据申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中电子束写入用之电子束曝光量在大约2.3C/平方公分至大约2.6C/平方公分范围内。5.根据申请专利范围第1项之光罩之制造方法,其中选择性蚀刻光隔膜步骤系以乾式蚀刻进行。图式简单说明:第一图系显示介于铬膜厚度与每种曝光波长透光性之相关性图表。第二图系显示曝光量与依光阻膜厚度变化之临界尺寸(CD)平移量之图表。第三图系显示介于光阻膜敏感度与厚度关系之图表,其中电子束曝光量位于第二图所绘之CD平移量为0处。第四图系介于光阻膜厚度与CD线性値限制値之相关性。第五图系显示介于光阻膜厚度与CD均匀度之间关系的图表。第六图A至第六图D显示本发明具体化实例之一的光罩制造步骤。第七图显示以本发明方法形成之光罩图型。第八图系习用光罩图型之剖面图。第九图A显示以习用方法形成之光罩图型,第九图B显示经设计之光罩图型。 |
