处理装置

摘要

提供一种易于在气体吐出口装卸及定位且嵌装一具有优异耐等离子体性之绝缘构件的处理装置。配置在蚀刻装置(100)之上部电极(128)的气体吐出孔(128a)，系成形为与绝缘构件(144)之外部形状对应之形状。绝缘构件(144)，系由聚醚醚酮、聚醯亚胺、或聚醚醯亚胺等所成，而在外部侧面形成有阶段部(144a)。绝缘构件(144)之长向长度，系形成为比气体吐出孔(128a)之长向长度还短。在绝缘构件(144)内，设有沿着其长向之贯穿孔(144d)同时,将贯穿孔(144d)之处理室(102)侧开口部。附近，形成直径向处理室(102)侧扩大的略锥形状。将绝缘构件，从气体吐出孔(128a)之吹出口侧插入、并压入嵌装于气体吐出口(128a)内，以便阶段部(144a)与吐出孔(128a)内壁所形成之肩部(128b)卡合。此时，绝缘构件(144)被配置成，比上部电极(128)感应器(l10)侧面更突出。

主权项

1.一种处理装置,包含有:气密之处理室;上部电极,系设置在前述处理室内之上方部;下部电极,系在前述处理室内与前述上部电极成对向地设置在前述上部电极下方;及高频电源,系连接至前述上部电极与前述下部电极中之至少一个电极;其特征在于:为了将给定之处理气体导入前述处理室内而在前述上部电极形成有多数个气体吐出孔;备有绝缘构件,其系形成有可供前述处理气体通过的贯穿孔,且从前述处理室侧嵌装于前述气体吐出孔。2.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件,系嵌装于前述气体吐出孔,以便在前述处理室侧具有突出部。3.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件,具有用来被覆前述气体吐出孔之前述处理室侧开口部周围的伸出部。4.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:在前述气体吐出口形成有肩部;在前述绝缘构件形成有阶段部;前述绝缘构件,系藉着前述阶段部卡合于前述肩部,而定位在前述气体吐出孔内。5.依据申请专利范围第4项所述之处理装置,其特征在于:在前述气体吐出孔之内壁面中,至少从前述处理室侧开口部至前述肩部部分,受过耐等离子体处理。6.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件之长向长度,系比前述气体吐出孔之长向长度还短。7.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件之前述贯穿孔,系至少在前述处理室侧开口部附近,形成贯穿孔之直径向前述处理室侧扩大之略锥形形状。8.依据申请专利范围第1项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件,系由树脂所形成。9.一种处理装置,包含有:气密之处理室;上部电极,系设置在前述处理室内之上方部;下部电极,系在前述处理室内与前述上部电极成对向地设置在前述上部电极下方;及高频电源,系连接至前述上部电极及前述下部电极中之至少一个电极;其特征在于:前述上部电极具有一上部电极构体、及一设置在前述上部电极本体上之冷却板;为了将给定之处理气体导入前述处理室内,而在前述上部电极本体及前述冷却板之各个形成有多数之气体吐出孔;备有形成有可供前述处理气体通过之贯穿孔的绝缘构件,其系嵌装在前述气体吐出孔以便被覆形成在前述冷却板的前述气体吐出孔之内壁。10.依据申请专利范围第9项所述之处理装置,其特征在于:前述绝缘构件之前述贯穿孔,系至少在前述处理室侧开口部附近,形成前述贯穿孔之直径向前述处理室侧扩大之略锥形形状。11.依据申请专利范围第9项所述之处理装置,其特征在于:在形成在前述冷却板之前述气体吐出孔,形成有肩部;在前述绝缘构件形成有阶段部;前述绝缘构件,系藉着前述阶段部卡合于前述肩部,而定位于形成在前述冷却板之前述气体吐出孔内。图式简单说明:第一图为一概略断面图,显示可适用本发明之蚀刻装置;第二图为一概略放大断面图,显示第一图所示之蚀刻装置的气体吐出孔周边;第三图为一概略斜视图,显示适用于第一图所示之蚀刻装置的绝缘构件;第四图为一概略断面图,显示其他实施形态之绝缘构件;第五图为一概略断面图,显示更其他实施形态之绝缘构件;第六图为一概略断面图,显示其他类型之蚀刻装置的吐出孔周边之部分;第七图为一放大断面图,显示第六图所示之气体吐出孔周边之部分。