| 主权项 |
1.一种增进金属薄膜直接地沉积在显示板矽酸盐 玻璃基质上黏着性之方法,其包含: 将玻璃基质暴露于氢氟酸及盐酸中,其数量足以提 高要被沉积出金属之黏着性而不会影响玻璃基质 视觉透射性之品质;以及 喷涂沉积出金属薄膜于矽酸盐玻璃基质表面上。2 .依据申请专利范围第1项之方法,其中氢氟酸以及 盐酸连续性地或同时地加入成为混合液。3.一种 制造薄膜电晶体于主动阵列液晶显示器(AMLCD)组件 矽酸盐玻璃板表面上之方法,其包含以化学方式处 理矽酸盐玻璃板表面,其藉由将玻璃板暴露于溶液 中,该溶液包含含有活性氟离子之氟化合物以及一 种酸,其能够选择性地溶解玻璃表面之玻璃成份, 而后直接地喷涂沉积出金属薄膜于经过化学处理 之矽酸盐玻璃板表面上,以及金属薄膜图案化以形 成平板显示器薄膜电晶体。4.依据申请专利范围 第1项之方法,其中包含以化学方式改变矽酸盐玻 璃基质表面处之矽酸键,同时在暴露于酸之步骤后 产生均方根表面粗糙度为小于0.04微米。5.依据申 请专利范围第3项之方法,其中包含以化学方式改 变矽酸盐玻璃基质表面处之矽酸键,同时在暴露于 酸之步骤后产生均方根表面粗糙度为小于0.04微米 。6.依据申请专利范围第1项之方法,其中沉积在矽 酸盐玻璃基质经过化学性改变表面上之金属是由 铝,铬,钽,钼及其合金中选取出。7.依据申请专利 范围第3项之方法,其中沉积在矽酸盐玻璃基质经 过化学性改变表面上之金属是由铝,铬,钽,钼及其 合金中选取出。8.依据申请专利范围第6项之方法, 其中沉积金属薄膜在硷土金属硼铝矽酸盐玻璃基 质上。9.依据申请专利范围第7项之方法,其中沉积 金属薄膜在硷土金属硼铝矽酸盐玻璃基质上。10. 依据申请专利范围第1项之方法,其中混合液中氢 氟酸浓度为0.01-0.6M以及盐酸浓度为0.1-2.5M。11.依 据申请专利范围第3项之方法,其中溶液中含有活 性氟离子之氟化合物为0.01-0.6M氢氟酸以及一种酸 为0.1-2.5M盐酸。12.一种增进金属薄膜沉积在显示 板矽酸盐玻璃基质上黏着性之方法,其包含: 将玻璃基质暴露于氢氟酸及另一种溶解性酸混合 溶液中,另一种酸由硝酸,过氯酸以及有机酸选取 出,以及使用喷涂技术沉积金属薄膜于矽酸盐玻璃 基质经过化学方式改变之表面上。13.依据申请专 利范围第12项之方法,其中沉积步骤包含在暴露于 酸溶液后直接地喷涂沉积金属薄膜在玻璃基质表 面上。14.依据申请专利范围第1项之方法,其中该 方法使用于制造一种含有涂层之平板显示器玻璃 组件,该组件包含: 玻璃基质; 金属氧化物,其沉积在基质上,具有之厚度界于30与 100埃之间;以及 金属涂层,其喷涂沉积在氧化物层上,该金属由铝, 铬,钽,钼,及其合金中选取出。15.依据申请专利范 围第14项之方法,其中氧化物为沉积在其上面之金 属氧化物。16.依据申请专利范围第15项之方法,其 中金属被图案化以形成薄膜电晶体组件。 |
