TRANSISTOR BIPOLAIRE VERTICAL A FAIBLE BRUIT ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

摘要

Le collecteur intrinsèque (4) est épitaxié sur une couche de collecteur extrinsèque (2) enterrée dans un substrat semiconducteur (1). Une région d'isolement latéral (5) entoure la partie supérieure du collecteur intrinsèque et on réalise un puits de collecteur extrinsèque déporté (60). On réalise une base à hétérojonction SiGe (8) située au-dessus du collecteur intrinsèque et de la région d'isolement latéral à partir d'une épitaxie non sélective, et on réalise un émetteur dopé in situ (11) par une épitaxie sur une fenêtre prédéterminée (80) de la surface de la base située au dessus du collecteur intrinsèque de façon à obtenir au moins au-dessus de ladite fenêtre une région d'émetteur formée de silicium monocristallin et directement en contact avec le silicium de la base.