| 发明名称 |
PROCEDE DE DOPAGE SELECTIF DU COLLECTEUR INTRINSEQUE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE VERTICAL A BASE EPITAXIEE |
| 摘要 |
<P>On effectue le dopage sélectif du collecteur par une première implantation de dopants avant l'épitaxie de la base et par une deuxième implantation de dopants à travers la base épitaxiée. On obtient deux zones implantées (SIC1, SIC2) de largeurs différentes. La base du transistor est amincie et la résistance collecteur optimisée.</P>
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| 申请公布号 |
FR2779571(A1) |
申请公布日期 |
1999.12.10 |
| 申请号 |
FR19980007060 |
申请日期 |
1998.06.05 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA |
发明人 |
MARTY MICHEL;CHANTRE ALAIN;SCHWARTZMANN THIERRY |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/165;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/266 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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