| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING TRENCH ELEMENT ISOLATION FILM BY USING ANNEALING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11340316(A) |
申请公布日期 |
1999.12.10 |
| 申请号 |
JP19990089033 |
申请日期 |
1999.03.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KO SHUCHIN;PARK MOON-HAN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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