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<p>Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mittels Epitaxie, das folgende Verfahrensschritte aufweist: a) Aufbringen einer HF-löslichen Maskenschicht mit Epitaxiefenstern auf ein Epitaxiesubstrat, b) epitaktisches Abscheiden einer Halbleiter-Schicht oder -Schichtenfolge auf den von den Epitaxiefenstern freigehaltenen Bereichen des Epitaxiesubstrats in einem Epitaxiereaktor und c) Entfernen des Maskenmaterials mittels einer Fluorverbindung, die in den Epitaxiereaktor eingeleitet wird.</p> |
