Verfahren zum Herstellen einer Schutzdiode gegen elektrostatische Entladungen in der Silizium-auf-Insulator-Technologie,申请号DE19946017944T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen einer Schutzdiode gegen elektrostatische Entladungen in der Silizium-auf-Insulator-Technologie
摘要
申请公布号	DE69417944(T2)	申请公布日期	1999.12.09
申请号	DE19946017944T	申请日期	1994.02.17
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK	发明人	BRADY, FREDERICK T.;EDENFELD, ARTHUR;HADDAD, NADIM F.
分类号	H01L27/12;H01L21/822;H01L21/84;H01L27/00;H01L27/02;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/866;(IPC1-7):H01L27/02;H01L21/82	主分类号	H01L27/12
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