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<p>Es wird ein Verfahren und eine Anlage zum Reinigen von Halbleiterelementen, die in einem Tank aufgenommen sind, mit ozonisiertem deionisierten (DI) Reinstwasser vorgeschlagen, bei denen in einem Ozongenerator (3) nach dem Prinzip der stillen elektrischen Entladung unter Zuführung von hochreinem Sauerstoff Ozon erzeugt wird, das einem von DI-Wasser durchströmten Kontaktor (7) zugeführt wird. Dabei wird das Ozon in dem DI-Wasser gelöst. Das ozonisierte DI-Wasser wird gegebenenfalls unter Zuführung von weiteren Chemikalien durch den Tank (12) mit den Halbleiterelementen zu deren Reinigung geleitet und das verbrauchte DI-Wasser wird abgeführt (15). Zur Stabilisierung der Ozonkonzentration wird dem vom Ozongenerator (3) erzeugten Ozon/Sauerstoffgemisch CO2 zugegeben.</p> |
