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发明名称 Verfahren für die Ätzung und/oder Einebung eines mehrschichtigen Halbleitersubstrats
摘要
申请公布号 DE69230229(D1) 申请公布日期 1999.12.09
申请号 DE19926030229 申请日期 1992.01.06
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 SATO, FUMIHIDE
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01J37/32 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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