制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法

摘要

一种制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法，包括下列步骤：蚀刻多个沟槽；在沟槽形成第一介电层；在沟槽中填入第一多晶硅层；在基底与第一多晶硅层上形成第二介电层；限定该第二介电层；生长一外延硅层和非晶硅层，形成一外延硅/非晶硅层；蚀刻出多个端点接触窗；在这些端点接触窗的该外延硅/非晶硅层侧壁上形成一绝缘衬垫；以及在这些端点接触窗填入一第二多晶硅层，以形成一正极接触点。

主权项

1．一种制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法，该方法包括下列步骤：在该基底中蚀刻出多个沟槽，以形成该水平沟槽电容器；在该基底的这些沟槽形成一第一介电层；在这些沟槽中填入一第一多晶硅层，以使该第一多晶硅层与该基底表面共平面；在该基底与该第一多晶硅层上形成一第二介电层；限定该第二介电层，留下该第一多晶硅层上的该第二介电层；在该硅基底上生长一外延硅层，使其侧面延伸至该第一多晶硅层上的该第二介电层之上，且在同时使一非晶硅层生长于该第二介电层上，该非晶硅层的顶端的表面积随着该外延硅生长的厚度增加而减小，以形成一外延硅/非晶硅层；穿过该外延硅/非晶硅层以及该第二介电层至该沟槽上的该第一多晶硅层，以蚀刻出多个端点接触窗；在这些端点接触窗的该外延硅/非晶硅层侧壁上形成一绝缘衬垫；以及在这些端点接触窗填入一第二多晶硅层，以形成一正极接触点，完成该隐匿式水平沟槽电容器的一阵列。