| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls aus Halbleitermaterial mit möglichst geringer Fehlorientierung des Kristallgitters. Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben von zwei oder mehreren solcher Einkristalle mittels Drahtsägen. Das Verfahren zur Herstellung des Einkristalls umfaßt folgende Schritte: a) Herstellen eines Einkristalls mit einer Fehlorientierung des Kristallgitters von höchstens 1,5 °; b) Anordnen des Einkristalls in einer Weise, daß der Einkristall um zwei Drehachsen gedreht werden kann, wobei die Drehachsen senkrecht zu zwei Ebenen liegen, die von zwei Achsen eines rechtwinkeligen Koordinatensystems mit den Achsen x, y und z aufgespannt werden; c) Drehen des Einkristalls um die Drehachsen bis die Kristallachse parallel zur x,y-Ebene und parallel zur x,z-Ebene des Koordinatensystems liegt; e) Anbringen von Druckstücken an den Stirnseiten des Einkristalls; und f) Drehen des Einkristalls um die Kristallachse, wobei der Einkristall zwischen den Druckstücken in einer Schleifmaschine eingespannt ist, und Abschleifen einer Mantelfläche des Einkristalls bis der Einkristall einen bestimmten, einheitlichen Durchmesser aufweist. <IMAGE></p> |
