| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé permettant de déposer une couche de comblement de tranchée à l'oxyde (300) sur un substrat pourvu de tranchées (224). On profite à cet effet de la sensibilité superficielle de matériaux diélectriques tels que le O3/TEOS (ozone/tétraéthylorthosilicate). Ces matériaux se caractérisent par des taux de dépôt différenciés sur les surfaces de différentes constitutions en différents niveaux du substrat à tranchées (224), en sorte que le profil superficiel de la couche de dépôt (300) se présente comme sensiblement auto-applanie. Le dépôt de matériau diélectrique sur la tranchée de silicium (228) produit une couche de comblement de haute qualité, le nettoyage de la tranchée (228) préalablement au dépôt pouvant encore augmenter ce niveau de qualité. Après le dépôt, on peut réaliser un recuit à oxydation de façon à faire croître de l'oxyde thermique (308) sur les surfaces des tranchées et pour rendre le matériau diélectrique plus dense. On peut enfin avoir recours à un polissage chimio-mécanique pour supprimer l'oxyde en excès au-dessus d'une couche d'arrêt d'attaque chimique (226) du substrat (224) qui peut être réalisée par dépôt chimique en phase vapeur sous pression réduite (LPCVD) d'un nitrure ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) d'un revêtement antireflet.</p> |
