发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
摘要 |
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium, der nach der Czochralski-Methode gezogen und dabei mit Sauerstoff und Stickstoff dotiert wird. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß der Einkristall mit Sauerstoff einer Konzentration von kleiner als 6,5·*·10·17· atcm·-3· und mit Stickstoff einer Konzentration von größer als 5·*·10·13· atcm·-3· während des Ziehens des Einkristalls dotiert wird. Gegenstand der Erfindung ist darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Silicium-Schmelze, das dadurch gekennzeichnet ist, daß der Einkristall mit Stickstoff dotiert wird und der Einkristall mit einer Geschwindigkeit V gezogen wird, wobei ein axialer Temperaturgradient G(r) an der Phasengrenze von Einkristall und Schmelze eingestellt wird, bei dem der Quotient V/G(r) in radialer Richtung wenigstens teilweise kleiner als DOLLAR A 1,3·*·10·-3· cm·2·min·-1· K·-1· ist.
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申请公布号 |
DE19823962(A1) |
申请公布日期 |
1999.12.02 |
申请号 |
DE19981023962 |
申请日期 |
1998.05.28 |
申请人 |
WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATERIALIEN AG |
发明人 |
AMMON, WILFRIED VON;SCHMOLKE, RUEDIGER;GRAEF, DIETER;LAMBERT, ULLRICH |
分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B15/04;H01L21/322;(IPC1-7):C30B15/20 |
主分类号 |
C30B29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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