发明名称 Verfahren zur Bewertung der dielektrischen Schicht nicht-flüchtiger EPROM, EEPROM und flash-EEPROM-Speicher
摘要
申请公布号 DE69325767(T2) 申请公布日期 1999.12.02
申请号 DE19936025767T 申请日期 1993.04.01
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA 发明人 CAPPELLETTI, PAOLO GIUSEPPE;RAVAZZI, LEONARDO
分类号 G11C17/00;G11C29/00;G11C29/50;G11C29/56;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C29/00;H01L21/66 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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