| 主权项 |
1.一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,适用于一已形成有元件的基底,且该基底上已形成有一介电层,其包括:形成一光阻层于该介电层上;利用微影成像技术于该光阻层上形成复数个具有多边状边缘的接触窗图案;以及蚀刻该介电层以便形成复数个具有多边状边缘的接触窗。2.如申请专利第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,更包括在形成该多边状边缘的接触窗之后,形成一钛金属/氮化钛混合层于该介电层及该多边状边缘的接触窗上。3.如申请专利第2项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,更包括在形成一钛金属/氮化钛混合层之后,实施快速加热处理。4.如申请专利第3项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,更包括在该实施快速加热处理之后,于该多边状边缘的接触窗内形成一钨插塞层。5.如申请专利范围第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该多边状边缘的接触窗图案是锯齿状边缘的接触窗图案。6.如申请专利范围第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该多边状边缘的接触窗是锯齿状边缘的接触窗。7.如申请专利范围第5项或第6项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该锯齿状边缘的边长约为2m-5m。8.如申请专利范围第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该多边状边缘的接触窗包含有复数个多边状边缘的接合垫接触窗。9.如申请专利范围第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该多边状边缘的接触窗包含有复数个多边状边缘的主动区接触窗。10.如申请专利范围第1项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体制造方法,其中该多边状边缘的接触窗包含有一多边状边缘的晶片环接触窗。11.一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体结构,适用于一已形成有元件的基底,其包括:一介电层,其位于该基底上;复数个具有多边状边缘的接触窗,其位于该介电层上。12.如申请专利范围第11项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体结构,更包括一钛金属/氮化钛混合层,其位于于该介电层和该多边状边缘的接触窗上。13.如申请专利范围第12项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体结构,更包括一钨插塞层,其位于该多边状边缘的接触窗内。14.如申请专利范围第11项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体结构,其中该多边状边缘的接触窗是锯齿状边缘的接触窗。15.如申请专利范围第14项之一种可防止在插塞制程中发生火山效应的半导体结构,其中该锯齿状边缘的的边长约为2m-5m。图式简单说明:第一图是一描述昔知技术之插塞制程中发生火山效应之半导体元件的侧面剖面图;第二图是一昔知技术中接合垫边缘和晶片环上产生火山效应的顶视图;第三图是一依照本发明实施例之具有锯齿状边缘之接合垫和晶片环的顶视图;以及第四图为一依照本发明实施例之具有锯齿状边缘之接合垫的放大顶视图。 |
