| 主权项 |
1.一种降低插栓在介窗制程中损失的方法,其步骤包括:提供一晶圆,其上并包括有一内金属介电层;利用一矽材质插入环套住该晶圆之周围;定义该内金属介电层,形成一介窗;形成一障蔽层于该介窗内;形成一导电层于该晶圆上,并将该介窗填满;以及去除多余的该导电层,完成一导电插栓的制作。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该内金属介电层为一三明治构造的内金属介电层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该三明治构造的内金属介电层系由第一电浆加强氧化层(PEOX)/旋涂式玻璃层(SOG)/第二电浆加强氧化层(PEOX)所构成。3.如申请专利范围第2项所述之该旋涂式玻璃层之厚度约为1000-2000A。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介窗是利用乾蚀刻法定义完成的。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该乾蚀刻步骤所用的仪器是AMAT MxP蚀刻机。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该障蔽层为一氮化钛层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层为一金属钨层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层之去除是利用回蚀刻法。图式简单说明:第一图A-第一图D显示的是一习知插栓的剖面制程,其中晶圆外围是以石英材质的插环环绕。第二图显示的是根据本发明所制得之插栓。第三图是采用不同材质的插环围绕晶圆,不同旋涂式玻璃厚度与良率的比较图。 |
