| 摘要 |
本创作系关于一种利用高速充脱磁电路之电磁盘改良结构，系包含有一承座，一盖板，一磁力产生组件，及充脱磁电路;其中该承座承置空间内承装有磁力产生组件;该盖板系密封盖合于该承座置空间;且该承座上方或该盖板上系形成一磁盘区,其面盘上间隔排列有导磁部及隔磁部;其特征在于该磁力产生组件,系其有预定数目之磁体，该各磁体包含有一永久磁石基材及一于充、脱磁电路上环线圈，其中该环绕线圈系绕设该永久磁石基材周侧,且该各磁体系置设于该承座内之承置空间与该磁盘面之导磁相对应者。藉由一高速充脱磁电路达快速对待处理之磁盘上之磁材进行均匀快速充磁及脱磁作业。本电磁盘配合快速充磁电路能在0.05sec之时间快速充磁较知之充磁时间快百倍以上,一般同型约须5sec建立之磁场又比一般磁盘更强，并以特别之绕线方式可通过强大电流并配合控制器充磁时间仅须0.05sec,脱磁只须2-3sec为本创作之特点。 |
| 主权项 |
1.一种高速充脱磁盘与控制电路,包括: 一充磁回路,为以可调整充磁能量大小之充磁调整 电路为主要构成,使充磁调整电路送出0.05sec一周 期宽度之控制讯号,以驱动后续电路进行待处理之 充磁: 一输出电路,为以四组相同的电晶体放大电路连接 成桥式推挽构造,于其输出端点位置连接可对待处 理物进行充、脱离之电磁线圈; 一脱磁回路,为以线性振盘产生器及除频器串接构 成,由线性电压振盘产生器产生由低频渐次昇高至 高频之讯号,并经除频器转换由宽至窄周期之正、 反相两组驱动讯号; 藉由渐次昇高为高频之驱动讯号,不仅可使电磁线 圈呈现相应频率之正、负向电流切换之外,亦一并 使得电流値呈反比关系变化,提供高速脱磁者。 一磁盘,系包含有一承座,一盖板及一磁力产生组 件;其中该承座承置空间内承装有磁力产生组件; 该盖皮系密封盖合承座承置空间;且该承座上方或 该盖板上系形成一磁盘区,其面盘上间隔排列有导 磁部及隔磁部;其特征在磁力产生组件,系具有预 定数目之磁体,该各磁体包含有一永久磁石基材及 一环绕线圈,其中该环绕线圈系绕设该永久磁石基 材周侧,且该各磁体系置设于该承座内之承置空间 与该磁盘面之导磁部相对应者。2.如申请专利范 围第1项所述之高速充脱磁盘与控制电路,该永久 磁石基材系可为氧化铁或铝镍钴或钕铁硼等材质 所制。3.如申请专利范围第1项所述高速充脱磁盘 与控制电路其中该充磁及脱磁回路前端更分别连 接有由D型正反器组成之充/脱磁控制电路以及充/ 脱磁按钮者。4.如申请专利范围第3项所述之高速 充脱磁盘与控制电路,其中该充/脱磁按钮一端更 连接有一安全保护开关者。5.如申请专利范围第1 项所述之高速充脱磁盘与控制电路,其中该充磁调 整电路连接有一可变电组以及充磁振荡器,以提供 充磁能量调整与供应基准波形者。6.如申请专利 范围第1项所述之高速充脱磁盘与控制电路,其中 该线性电压振荡产生器为以一锯齿形产生器与一 电压控制振荡器(VCO)串接而成。7.如申请专利范围 第1项所述之高速充脱磁盘与控制电路,其中该除 频器后端更连接有延迟电路者。8.如申请专利范 围第1项所述之高速充脱磁盘与控制电路,其中该 推挽式输出电路更包括有位在输入端位置之光耦 合驱动电路,使其可与其他电路有效隔离者。9.如 申请专利范围第1或8项所述之高速充脱磁盘与控 制电路,其中更包括有一由比较器构成之过电流保 护电路,而在推挽式输出电路上连接有一检出电阻 ,而此过电流保护电路可侦测检出电阻之端电压, 此保护电路之输出端为控制整个电路之启闭者。 10.如申请专利范围第1或8项所述之高速充脱磁盘 与控制电路,其中更包括有一由比较器及继电器构 成之充磁检出保护电路,在继电器接点位置连接外 部电路,可于异常时通知外部电路进行相应动作者 。图式简单说明: 第一图:系本创作之电路方块图。 第二图:系本创作之电路详图。 第三图:系本创作之动作波形示意图。 第四图:系本创作之磁盘一较佳实施例之分解立体 图。 第五图:系第四图之外观立体图。 第六图:系第五图5-5剖视图。 第七图:系本创作第二较佳实施例之组合剖视图。 |
