| 主权项 |
1.一种非对称型MOSFET制法,包括: 一为在矽基底或井区上定义形成闸极区域与离子 布植形成位在闸极两侧之浅掺杂区之步骤; 一全面性覆盖绝缘层之步骤; 一实施源极光罩而仅去除位在源极上方之绝缘层 的步骤; 一大倾斜角离子布値,而仅在对应于源极内侧以及 闸极下方之通道区域形成相反掺杂材料之袋形区 的步骤; 一对前述剩余的绝缘层进行非均向回蚀刻,而转变 为仅附着于闸极之相对于汲极部位之侧壁层的步 骤; 一实施高浓度离子布植,而在源极部位形成一取代 原浅掺杂区之高浓度源极区,而在汲极部位为形成 对应于原浅掺杂区外围位置之高浓度汲极区的步 骤; 据以形成一非对称型MOSFET元件者。2.如申请专利 范围第1项所述之非对称型MOSFET制法,其中该绝缘 层可为二氧化矽或氮化矽者。3.如申请专利范围 第1项所述之非对称型MOSFET制法,其中该浅掺杂区 为N-或P-型式者。4.如申请专利范围第1项所述之非 对称型MOSFET制法,其中该大倾斜角离子布植为P-或N -型式者。5.如申请专利范围第1或4项所述之非对 称型MOSFET制法,其中该大倾斜角离子布植之角度为 约在15-45度之间者。6.如申请专利范围第4项所述 之非对称型MOSFET制法,其中该进行P-大倾斜角离子 布値,为使用B11离子,布植能量别为30-90Kev,布植浓 度为11012/cm2-41013/cm2者。7.如申请专利范围第4项 所述之非对称型MOSFET制法,其中该进行N-大倾斜角 离子布植,为使用P31离子,布植能量别为30-120Kev,布 値浓度为21012/cm2-61013/cm2者。8.如申请专利范围 第1项所述之非对称型MOSFET制法,其中该侧壁层之 厚度约在500-1500A者。9.如申请专利范围第1项所述 之非对称型MOSFET制法,其中该为在进行大倾斜角离 子布植之际为在未去除光阻之情况下进行者。10. 如申请专利范围第1项所述之非对称型MOSFET制法, 其中该高浓度离子布植之材料为使用N+或P+者。11. 一种非对称型MOSFET制法,包括: 一为在矽基底或井区上定义形成闸极区域与离子 布値形成位在闸极两侧之浅掺杂区之步骤; 一全面性沈积绝缘层之步骤; 一覆光阻之步骤; 一实施源极光罩而仅去除位在源极上方之绝缘层 的步骤; 一大倾斜角离子布値,而仅在对应于源极内侧以及 闸极下方之通道区域形成相反掺杂材料之袋形区 的步骤; 一去除光阻之步骤; 一对前述剩余的绝缘层进行非均向回蚀刻,而转变 为仅附着于闸极之相对于汲极部位之侧壁层的步 骤; 一实施高浓度离子布植,而在源极部位形成一取代 原浅掺杂区之高浓度源极区,而在汲极部位为形成 对应于原浅掺杂区外围位置之高浓度汲极区的步 骤; 据以形成一非对称型MOSFET元件者。12.如申请专利 范围第11项所述之非对称型MOSFET制法,其中该绝缘 层可为二氧化矽或氮化矽者。13.如申请专利范围 第11项所述之非对称型MOSFET制法,其中该浅掺杂区 为N-或P-型式者。14.如申请专利范围第11项所述之 非对称型MOSFET制法,其中该大倾斜角离子布植为P- 或N-型式者。15.如申请专利范围第11或14项所述之 非对称型MOSFET制法,其中该大倾斜角离子布植之角 度为约在15-45度之间者。16.如申请专利范围第14项 所述之非对称型MOSFET制法,其中该进行P-大倾斜角 离子布値,为使用B11离子,布植能量别为30-90Kev,布 植浓度为11012/cm2-41013/cm2者。17.如申请专利范围 第14项所述之非对称型MOSFET制法,其中该进行N-大 倾斜角离子布植,为使用P31离子,布植能量别为30- 120Kev,布値浓度为21012/cm2-61013/cm2者。18.如申请专 利范围第11项所述之非对称型MOSFET制法,其中该侧 壁层之厚度约在500-1500A者。19.如申请专利范围第 11项所述之非对称型MOSFET制法,其中该高浓度离子 布植之材料为使用N+或P+者。图式简单说明: 第一图A-D:系习知形成LDD元件之制程剖面图。 第二图:系习知双层LDD构造之对称型MOSFET剖面结构 。 第三图:系非对称型MOSFET之结构剖面图。 第四图A-D:系本发明之制法剖面图。 |
