发明名称 电极配线材料及使用该材料之配线板
摘要 本发明系关于电极配线材料及使用该材料之配线板,尤其是提供具有相当低之电阻率,作业处理容易之电极配线材料与使用该材料之高度信赖性的电极配线板。本发明之解决手段简单地说系最少选择Mo与W其中一种为主成分,包含有00003原子%~5原子%之Ar,00003原子%~3原子%之Kr及00003原子%~3原子%之Xe所构成群中选择添加元素。又于玻璃板上形成有电极配线之电极配线板中,电极配线线最少选择Mo与W其中一种金属所构成,对于前述电极配线材料中之巨块状态之格子常数之前述材料格子常数的比例为3%以内。
申请公布号 TW375701 申请公布日期 1999.12.01
申请号 TW084110868 申请日期 1995.10.16
申请人 东芝股份有限公司 发明人 池田光志;螚佳子;原雄二郎;热田昌己;小川吉文
分类号 G02F1/1345;G02F1/136;H01B1/02 主分类号 G02F1/1345
代理机构 代理人 林志刚
主权项 1.一种电极配线材料,其特征为:至少选择Mo与W其中 一种为主成分,包含有0.0003原子%-5原子%之Ar,0.0003 原子%-3原子%之Kr及0.0003原子%-3原子%之Xe所构成群 中选择之添加元素。2.一种电极配线材料,其特征 为:将W当成主成分并且至少选择W与Mo及Cr其中一种 为主成分,包含有0.0003原子%-5原子%之Ar,0.0003原子%- 3原子%之Kr及0.0003原子%-3原子%之Xe所构成群中选择 之添加元素。3.如申请专利范围第1或2项之电极配 线材料,其中前述之主成分中添加有Ti。4.如申请 专利范围第1或2项之电极配线材料,其中前述Kr之 含有量为0.0003原子%-1原子%。5.如申请专利范围第1 或2项之电极配线材料,其中前述Kr之含有量为0.0003 原子%-0.5原子%。6.如申请专利范围第1或2项之电极 配线材料,其中前述W或Mo之含有量为10原子%-95原子 %。7.一种电极配线板,系属于在玻璃板上形成有电 极配线之电极配线板,其特征为:电极配线至少选 择Mo与W其中一种金属所构成,对于前述电极配线材 料中之巨块状态的格子常数之前述材料格子常数 的比例为3%以内。8.如申请专利范围第7项之电极 配线板,对于前述材料之巨块状态的格子常数之前 述电极配线之材料的格子常数的比例为1%以内。9 .一种电极配线板,系属于在玻璃板上形成有电极 配线之电极配线板,其特征为:电极配线至少选择W 或W与Mo及Cr其中一种所构成,对于前述电极配线材 料中之块状状态的格子常数之前述材料之格子常 数的比例为3%以内。10.如申请专利范围第9项之电 极配线板,对于前述材料之巨块状态的格子常数之 前述电极配线之材料的格子常数的比例为1%以内 。11.如申请专利范围第7或9项之电极配线板,其中 前述之金属内添加有Ti。12.如申请专利范围第7或9 项之电极配线板,其中前述W或Mo之含有量为10原子% -95原子%。13.如申请专利范围第7或9项之电极配线 板,其中前述电极配线系由真空测射法所形成的。 图式简单说明: 第一图系表示应力,电阻率及膜剥离率与膜中Ar含 有量之关系特性图。 第二图系表示应力,电阻率及膜剥离率与膜中Ar含 有量之关系特性图。 第三图系表示电阻率与Mo之含有量的关系特性图 。 第四图系表示根据X线测定之格子常数与Mo含有量 的关系特性图。 第五图系表示电阻率与成膜能之关系特性图。 第六图系表示电阻率与气压之关系特性图。 第七图系表示电阻率与成膜能之关系特性图。 第八图系表示电阻率与气压之关系特性图。 第九图系沿第十图之IX-IX线之断面图。 第十图系表示使用本发明之电极配线材料之液晶 表示装置之驱动回路板之平面图。 第十一图系表示MoW合金之蚀刻率与W含有率之关系 特性图。 第十二图系表示MoTi合金之蚀刻率与W含有率之关 系特性图。 第十三图系表示使用本发明之电极配线材料之液 晶表示装置之液晶驱动回路板之其它例子之断面 图。 第十四图系表示使用本发明之电极配线材料之液 晶表示装置之液晶驱动回路板之其它例子之断面 图。 第十五图系表示使用本发明之电极配线材料之半 导体装置的回路板之断面图。
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