动态随机存取存储器单元电容器及其制造方法

摘要

公开了一种显著增加了表面积的双柱型层叠电容器以及其工艺简单的制造方法。双柱型层叠电容器包括:形成在半导体衬底上并电连接到所述半导体衬底上的源/漏区的存储接触焊盘;包括所述存储接触焊盘的所述半导体衬底上的绝缘层;具有第一和第二导电柱的所述电容器的存储电极,所述第一和第二导电柱互相隔开并通过形成在所述绝缘层上的导电层图形互相电连接,所述第一导电柱穿过所述绝缘层并与所述存储接触焊盘电连接。

主权项

1．一种制造DRAM单元电容器的方法，包括以下各步骤：提供具有栅电极及与所述栅电极的侧面对准的一对源/漏区的半导体衬底；形成到所述源/漏区上一对存储接触焊盘；在所述半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述在第一绝缘层上形成导电层图形，所述导电层图形覆盖所述存储接触焊盘中的一个并在所述存储接触焊盘中的一个的横向内延伸，所述导电图形具有两个相对端；随后在包括所述导电层图形的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层和第一材料层，所述第一材料层相对于所述第二绝缘层具有选择腐蚀性；随后用第一次光刻腐蚀所述第一材料层、所述第二绝缘层和所述导电层图形，在所述存储接触焊盘中的一个上的所述第一绝缘层上形成第一开口，所述第一开口穿过所述导电图形的一端；在所述第一开口中形成导电侧壁间隔层；利用所述导电侧壁间隔层和所述第一材料层作为掩膜并腐蚀所述第一绝缘层到达所述存储接触焊盘中的一个上，形成第二开口；在所述第一和第二开口中和所述第一材料层上淀积导电材料，然后平面化到所述第二绝缘层，以形成第一导电柱；使用第二次光刻腐蚀所述第二绝缘层直到露出所述第一绝缘层及所述导电层图形的另一端，形成与所述第一开口间隔开的第三开口；并且用与所述第一导电柱相同的材料填充所述第三开口以形成第二导电柱，所述第二导电柱通过所述导电层图形连接到所述第一导电柱，其中所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述导电层图形构成了所述DRAM单元电容器的存储电极。