| 发明名称 | 正特性半导体陶瓷的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的正特性半导体陶瓷的制造方法,由于其构成为准备以实质上不含有Si的BaTiO<SUB>3</SUB>为主成分的钛酸钡系半导体的主组合物的焙烧物,分别准备Ba<SUB>2</SUB>TiSi<SUB>2</SUB>O<SUB>8</SUB>和Ba<SUB>n</SUB>Ti<SUB>m</SUB>O<SUB>n+2m</SUB>(1≤n≤4,2≤m≤13,n<m)的添加组合物,在使上述主组合物的焙烧物和上述添加组合物进行配比混合后,进行正式烧结,故所得到的产品不仅电学特性优良,而且电学特性不易受制造条件的变动的影响,可以保证稳定的质量这样的极其卓越的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1237265A | 申请公布日期 | 1999.12.01 |
| 申请号 | CN98801276.6 | 申请日期 | 1998.09.02 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 高桥千寻;佐藤茂树 |
| 分类号 | H01C7/02 | 主分类号 | H01C7/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邰红;杨丽琴 |
| 主权项 | 一种正特性半导体陶瓷的制造方法，其特征是：准备以实质上不含有Si的BaTiO3为主成分的钛酸钡系半导体的主组合物的焙烧物，分别准备Ba2TiSi2O8和BanTimOn+2m(1≤n≤4,2≤m≤13,n＜m)的添加组合物，在使上述主组合物的焙烧物和上述添加组合物进行配比混合后，进行正式烧结。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||