| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件制造方法包括提供半导体衬底(1);形成第二半导体元件的第二栅电极(4);形成第二源/漏区(5);形成第二侧壁绝缘膜(6);形成第一栅电极(10);形成第一源/漏区(11)和形成第一侧壁绝缘膜(12)。半导体衬底(1)具有第一和第二半导体元件形成区(S,S)。在第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下,在第二半导体元件形成区(S)形成第二半导体元件的第二栅电极(4)和形成第二半导体元件的第二源/漏区(5)。 | ||
| 申请公布号 | CN1236989A | 申请公布日期 | 1999.12.01 |
| 申请号 | CN99107553.6 | 申请日期 | 1999.05.25 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 笠井直记 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1．一种制作一个半导体器件的方法，其特征在于包括：(a)提供一个具有第一和第二半导体元件形成区(S,S)的半导体衬底(1)；(b)在所述第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下，在所述第二半导体元件形成区(S)形成一个第二半导体元件的一个第二栅电极(4)；(c)在所述第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下，在所述第二半导体元件形成区(S)形成所述第二半导体元件的一个第二源/漏区(5)；(d)在所述第一半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下，在所述第二二栅电极(4)的侧面部分上形成第二侧壁绝缘膜(6)；(e)在所述第二半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下，在所述第一半导体元件形成区(S)形成一个第一半导体元件的一个第一栅电极(10)；(f)在所述第二半导体元件形成区(S)被掩蔽的状态下，在所述第一半导体元件形成区(S)形成所述第一半导体元件的一个第一源/漏区(11)；(g)在所述第一栅电极(10)的侧面部分上形成第一侧壁绝缘膜(12)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||