软磁膜、软磁多层膜及其制造方法以及使用这些膜的磁体元件

摘要

本发明是在基片1上形成Fe－N系薄膜2,使主相是α－Fe和γ’－Fe₄N,α－Fe和γ’－Fe₄N相的晶粒细微化到10nm以下,并且与膜面平行的α－Fe的晶面(110)和γ’ －Fe₄N的晶面(200)的间隔,与无晶格畸变的状态相比更为伸展,γ’－Fe₄N的晶面(111)的间隔与无晶格畸变的状态相比更为收缩,基于这样的组织,形成具有优异软磁性的高饱和磁通密度的软磁膜、软磁多层膜以及使用这些膜的磁体元件,满足电子设备的小型化、薄型化、轻型化以及高性能化的要求。

主权项

1．一种软磁膜，其特征在于，该软磁膜含有Fe和N，主相是α-Fe和γ’-Fe4N,α-Fe相和γ’-Fe4N相的平均晶粒尺寸在10nm以下，并且与膜面平行的α-Fe的晶面(110)和γ’-Fe4N的晶面(200)的间隔，是比无晶格畸变的状态更为伸展的状态，γ’-Fe4N的晶面(111)的间隔是比无晶格畸变的状态更为收缩的状态。