抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长方法及装置

摘要

在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉（１）中通过提线（７）上拉晶种（Ｚ）来生长硅单晶（Ｙ），一个磁环（１２）被安装在硅单晶上，一个电磁体（８）被固定于生长炉上以便上拉磁环。

主权项

1．一种丘克拉斯基单晶硅生长方法，包含以下步骤：通过提线将晶种浸入熔融硅中；通过所述提线上拉所述晶种，以生长单晶硅棒；当所说单晶硅棒直径接近一预定值时增加通过提线上拉单晶硅棒的速率，提高所述熔融硅的温度；当所述单晶硅棒长至预定长度后，降低所述提线上拉所述单晶硅棒的速率，降低所说熔融硅的温度；其特征在于：将一磁环装在所述单晶硅棒的圆周凹进部位上；通过控制沿所述单晶硅棒垂直方向排列的电磁体，上拉所述磁环，以便与所述提线上拉所述单晶硅的速率同步上拉所述单晶硅棒。