| 摘要 |
一种场效应型电晶体，在掺杂有铁之半绝缘性磷化铟基板ll上，依序叠层有：由非掺杂In0.52Al0.48As所成之第一缓冲层12，具有非掺杂In0.52A10.48As与非掺杂 A10.25Ga0.75As两者之超晶格结构之第二缓冲层l3，由非掺杂In0.52A10.48As所成之第三缓冲层14，由非掺杂 In0.53Ga0.47As所成之通道层15，非掺杂In0.52Al0.48As所成之间隔层16，矽之三角形掺杂层17，以及由非掺杂 In0.52Al0.48As所成之肖脱基层18。在肖脱基层18之上面则形成具有凹处结构之罩层19,罩层l9之上面则形成有源极20及汲极21，而在罩层l9之凹处区域则形成有闸极22。依此构成，即可获得一种不会发生转折现象之场效应型电晶体。 |
