| 发明名称 | 制造铁电集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 形成含至少两种金属的氧化物的铁电元件(122)的集成电路,使制造电路中氢引起的铁电特性退化最小。在其某些元件中加入作为氢的吸气剂的氧。为使氢退化最小,由其中化学计量过量的构成金属液态前体制造铁电化合物。形成优选含氮化钛的氢阻挡层覆盖铁电元件的上部。200—350℃在氢气中对集成电路进行≤30min氢热处理,使铁电特性退化最小,并恢复集成电路的其它特性。之后,800℃下进行氧复原退火,恢复铁电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1236987A | 申请公布日期 | 1999.12.01 |
| 申请号 | CN99105814.3 | 申请日期 | 1999.04.16 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司;日本电气株式会社 | 发明人 | 约瑟夫·D·库奇亚罗;古谷晃;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;宫坂洋一 |
| 分类号 | H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1、一种制造集成电路的方法，包括以下步骤：形成包括金属氧化物材料薄膜(122)的集成电路部分；在含氢的气氛中加热所述的集成电路部分，其特征在于，所述加热步骤在低于350℃的温度下进行。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||