| 摘要 |
<P>La présente invention concme une technologie de construction des structures conductrices complexes à l'aide des particules chargées.Le procédé de réalisation d'un dessin lithographique consiste à former un faisceau de particules chargées, à séparer dans le faisceau les particules la dispersions des énergies desquelles est comprise entre 0. 1 et 50 eV. à évacuer du faisceau les particules chargées la dispersions des énergies desquelles se trouve en dehors desdites limites. Ensuite, on réalise la focalisation primaire du faisceau formé de particules chargées jusqu'aux valeurs de sa divergence comprise entre 5 x 10-2 et 10-4 radians et on soumet à l'irradiation par un faisceau de particules chargées le masque qui comprend un gabarit du dessin. Après cela, on effectue la focalisation secondaire du faisceau de particules modulé pendant son passage à travers le masque dans le but de créer, sur la couche radiosensible à traiter, le dessin lithographique correspondant au gabarit du masque à l'échelle réduite.La présente invention peut être appliquée dans la microélectronique pour former les microcircuits, les dispositifs de mémoire, les éléments optiques et d'autres éléments.</P> |
