- SEMICONDUCTOR SYNCHRONOUS MEMORY DEVICE RESPONSIVE TO EXTERNAL MASKING SIGNAL FOR FORCING DATA PORT TO ENTER INTO HIGH-IMPEDANCE STATE AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

摘要

동기 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 장치는 외부 명령(CSB/RASB/CASE/WE)에 응답하여, 메모리 셀 어레이(31) 내로 데이타 비트를 기록하고 그리고 메모리 셀 어레이(31)로부터 데이타 비트를 판독하며, 외부 전원이 전원(44)에 외부 전원 전압(PW)을 제공하기 시작할 때, 내부 전원 전압은 일정한 레벨로 상승하기 시작하고, 마스킹 신호 발생기(46a)는 외부 마스킹 신호(DQM)에 응답하여 내부 마스킹 신호(OEMSK)를 생성하여 데이타 포트(48)가 높은 임피던스 상태로 들어가도록 함으로써, 외부 장치(51)가 불확실한 데이타 신호를 출력하는 것을 방지한다.