| 摘要 |
본 발명은 반도체집적회로장치에 있어서, 다이나믹형 RAM(random access memories)에 이용하여 효과적인 기술에 관한 것이다. 본 발명은 외부단자에서 공급되는 전원전압을 받아 동작하는 내부전압발생회로에 의해, 강압전압 및 승압전압의 한쪽 또는 양쪽을 형성하여 내부회로를 동작시키는 반도체집적회로장치에 있어서, 상기 외부단자에서 공급된 전원전압 또는 상기 내부전압발생회로에서 형성된 승압전압을 받아 동작하는 제 1 내부회로를 상기 전원전압 또는 승압전압에 대응한 두꺼운 막두께의 게이트절연막을 갖는 제 1 MOSFET로 구성하고, 상기 강압전압을 받아 동작하는 제 2 내부회로를 상기 강압전압에 대응한 얇은 막두께의 게이트절연막을 갖는 제 2 MOSFET로 구성함으로써,신뢰성을 해치지 않으면서, 디바이스의 미세화와 고속화 및 고집적화와 저소비전력화를 도모할 수 있는 다이나믹형 RAM을 포함하는 반도체집적회로장치를 제시하고 있다. |
