| 摘要 |
반응 생성물의 제거 공정과 세정 공정을 생략하여도, 산화막과 질화 규소막을 적층한 층간막에 컨택트홀을 형성할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 에칭 방법은, 질화 규소막(304)과 그 위에 형성된 산화막(303)으로 이루어지는 적층막을 에칭하는 것이다. 이 에칭 방법은, CF계 가스(306a)에서 상기 산화막(303)의 에칭을 개시하고, 상기 질화 규소막(304)이 노출하기 전에 상기 CF계 가스에서의 에칭을 정지하는 공정과, 에칭 가스를 CF계 가스(306a)에서 CHF계 가스(306b)로 전환하여 잔여 산화막(303)과 상기 질화 규소막(304)을 에칭하는 공정을 구비하는 것이다. |
