发明名称 PREPARATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR WAFER
摘要 <p>본 발명의 목적은 웨이퍼의 뒷면을 연마할 때 및 접착테이프를 박리할 때의 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 동시에 작업시간을 감축시킬 수 있는 반도체웨이퍼의 제조방법을 제공하는 데 있다. 그 구체적인 방법으로서는, 반도체웨이퍼의 앞면상에 접착테이프를 부착하는 공정; 상기 반도체웨이퍼의 뒷면을 연마기에 의해 연마하는 공정; 상기 접착테이프를 박리하는 공정; 및 상기 반도체웨이퍼의 앞면을 세정하는 공정을 구비하고, 상기 접착테이프로서 열수축성을 지닌 접착테이프를 사용하고, 상기 반도체웨이퍼의 뒷면을 연마한 후에, 웨이퍼세정기내에서 온도 50 내지 99℃의 온수를 부어 접착테이프를 박리하고, 상기 웨이퍼세정기에서 상기 반도체웨이퍼의 앞면을 세정하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR19990083140(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990012866 申请日期 1999.04.12
申请人 null, null 发明人 카타오카마코토;후지이야스히사;히라이켄타로;후쿠모토히데키;쿠마가이마사토시
分类号 H01L21/304;H01L21/68 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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