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发明名称 NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
摘要 <p>제 1 게이트 절연막을 사이에 두고 반도체 기판상에 형성된 부동게이트, 이 부동게이트 전극상에 형성된 제 2 게이트 절연막, 및 이 제 2 게이트 절연막상에 형성된 제어 게이트를 구비한 비휘발성 반도체 메모리 장치에서, 2개 이상의 트렌치가 부동게이트에 형성된다.</p>
申请公布号 KR19990083606(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990015443 申请日期 1999.04.29
申请人 null, null 发明人 기따무라다꾸야;고가히로끼
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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