Method for manufacturing a semiconductor device

摘要

반도체 장치(10)를 설계하는 방법(50)이 공개된다. 이 방법(50)은 어닐링 스텝(59)을 가지고 있다. 이 어닐링 스텝(59)에서, 상기 반도체 장치(10)는 산소를 함유한 환경에서 어닐링된다. 상기 산소는 11.85 Torr보다 높은 부분 압력을 가지고 있다. 상기 어닐링 스텝(59)에 의해, 상기 반도체 장치(10)의 게이트 전극(33)에서 상기 반도체 장치(10)의 채널 영역으로의 비제어 도핑이 줄어든다.