NONVOLATILE MEMORY HAVING CONTACTLESS ARRAY STRUCTURE WHICH CAN RESERVE SUFFICIENT ON CURRENT WITHOUT INCREASING RESISTANCE EVEN IF WIDTH OF BIT LINE IS REDUCED AND CREATION OF HYPERFINE STRUCTURE IS TRIED AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY

摘要

비휘발성 메모리는 제1 도전형의 반도체 영역(1) 및 제2 도전형의 불순물 확산층(5)을 포함한다. 상기 제2 도전형의 불순물 확산층(5)은 상기 반도체 영역(1)의 소정 영역에 상기 제1 도전형과는 다른 상기 제2 도전형의 불순물을 도핑함으로써 형성된다. 상기 불순물 확산층(5)은 비트선으로서 사용된다. 상기 불순물 확산층(5)은 불순물 농도가 실질적으로 1 × 10㎝이상인 특정층을 갖되, A는 상기 소정 영역으로부터 가로 방향으로의 확산 거리이고 B는 깊이 방향으로의 상기 특정층의 두께인 BA 이다(도 5).