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<p>Dans un procédé permettant de traiter un substrat à semiconducteur (25), on élimine par étapes successives les dépôts de réactifs d'attaque polymères (190), les défauts du réseau de silicium (195), et une couche d'oxyde de silicium d'origine (185). On élimine notamment les dépôts des réactifs d'attaque polymères (190) à l'aide d'un gaz de nettoyage activé renfermant un gaz fluoré inorganique et un gaz oxygène, puis on attaque chimiquement les défauts du réseau de silicium (195) au moyen d'un gaz d'attaque activé. On utilise ensuite un gaz réducteur activé, renfermant un gaz contenant de l'hydrogène, pour réduire la couche d'oxyde de silicium d'origine (185), située sur le substrat (25), à une couche de silicium. Puis on forme un dépôt d'une couche métallique (200) sur ledit substrat (25), celui-ci étant ensuite recuit pour former une couche de siliciure métallique (205). L'élimination des dépôts des réactifs d'attaque polymères (190), des défauts du réseau de silicium (195), et de la couche d'oxyde de silicium d'origine (185), permet notamment d'augmenter la conductivité entre ladite couche de siliciure métallique (205) et le substrat sous-jacent (25), qui contient du silicium.</p> |
