发明名称 Semiconductor device and method of forming the same
摘要 배선층(6, 10)의 1쌍의 실리콘 기판간 용량을 저감시키고, 인덕터 소자(16)의 공진주파수를 향상시킬 뿐만 아니라, 기계적 강도를 저하시키지 않는 「인덕터 소자를 조립한 반도체 장치 및 그 제조방법」을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 인덕터 소자(16)의 하부층에 상당하는 실리콘 기판(P형 실리콘 기판)(1)에, 종래 기술과 같은 틈(12)을 만들지만 이 틈(12)은 평면도로 본 형상이 그물코 모양이 되는 복수개의 틈을 포함하는 영역”이며, 틈(12) 내에 복수의 실리콘 기둥을 설치한 구조를 가진다. 이와 같이 복수의 실리콘 기둥으로 인덕터 소자(16)를 지탱하고 있기 때문에 해당 소자(16)의 파손을 방지할 수 있다.
申请公布号 KR19990083111(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990012642 申请日期 1999.04.10
申请人 null, null 发明人 요시다히로시
分类号 H01L21/822;H01L21/02;H01L27/04 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
地址